巴斯夫推出高性能PPA推动下一代IGBT半导体革命

  巴斯夫近日推出了一款着眼于未来技术的大宗聚邻苯二甲酰胺（PPA）材料——Ultramid Advanced N3U41G6，此材料专为制造绝缘栅双极晶体管（IGBT）半导体外壳设计。随着电动汽车、人机一体化智能系统、可再次生产的能源等领域对高性能、可靠性电子元件的需求日渐增长，这一新材料在市场中显得很重要。Ultramid Advanced N系列材料的新特性将极大地增强IGBT的耐久性和电性能表现，解决当前电力电子设备面临的一系列挑战。

  Ultramid Advanced N3U41G6具备卓越的耐化学性和尺寸稳定性，能够有效应对严苛的工作环境。当今的IGBT面临着慢慢的升高的温度要求和电气绝缘的挑战，这款新材料正是针对这样一些问题进行创新。它具有高达600的相对跟踪指数（CTI），在电源开关应用中，表现出比以往材料更低的爬电距离和更优的绝缘性。材料的UL认证等级显示其在高达150°C下仍然能够保持出色的电气相对温度指数（RTI），使其成为下代高效电力电子设备的理想选择。

  在用户体验方面，这种新材料的引入对于关键市场如可再次生产的能源和人机一体化智能系统具有重大意义。知名电力电子技术供应商赛米控丹佛斯已经在其Semitrans 10 IGBT中采用了巴斯夫的PPA，后者作为光伏和风能系统逆变器的核心组件，必将提升整体系统的性能和稳定能力。赛米控丹佛斯的研究和预开发部门负责人Jörn Grossmann表示，Ultramid Advanced N的独特性能使得Semitrans 10在长期稳定性和高温下的操作表现上树立了全新标杆。

  当前IGBT市场高度竞争，巴斯夫的这一创新料无疑将在行业中引发一系列变革。与市场上其它常用材料如Ultradur PBT相比，Ultramid Advanced N3U41G6在高温耐受性和电气绝缘性能方面展现出明显的优势。这不仅提高了IGBT的应用灵活性，也为制造商带来了更多的设计选择，从而推动了整体电子科技类产品的进步。慢慢的变多的电力电子设备制造商开始重视材料对设备性能的影响，这为巴斯夫未来的市场扩张创造了机遇。

  在全球对于节能和高效能电子科技类产品需求不断攀升的背景下，Ultramid Advanced N3U41G6无疑是高效能IGBT领域的一次重要突破。它不仅将推动电动交通和可再次生产的能源的发展，还能够在一定程度上促进人机一体化智能系统的进一步普及。对于消费者而言，这在某种程度上预示着未来将享受到更高效、稳定的电子科技类产品和服务。巴斯夫的这一新材料在技术创新和市场潜力等多个层面为行业树立了新的标杆，明显提升了下一代IGBT产品的性能标准，预示着电力电子技术的新篇章即将开启。返回搜狐，查看更加多